Usando voltaje eléctrico en vez de un flujo de corriente eléctrica, unos investigadores han hecho grandes mejoras a una clase de memoria de ordenador ultrarrápida y de gran capacidad conocida como memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva, o MRAM.
Esta memoria mejorada, que es obra de la Universidad de California en Los Ángeles (UCLA), tiene un gran potencial para ser usada en futuros chips de memoria para casi cualquier aplicación electrónica, incluyendo smartphones (teléfonos inteligentes), tabletas, ordenadores y microprocesadores en general, así como para el almacenamiento de datos, como los discos de estado sólido usados en ordenadores, en grandes centros de procesamiento de datos y como no CONSOLAS!!!
Su aplicación al entretenimiento digital movil aún están por ver pero promete mucho
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